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TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀

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產(chǎn)品型號：
產(chǎn)品報價：
更新時間：	2023-05-18
產(chǎn)品特點：	TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀用于精密測量各種高壓電氣設(shè)備的絕緣介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ與電容量Cx，可鑒別電氣絕緣設(shè)備污染、破裂、穿孔、受潮等引起的缺陷和隱患。適用于變壓器、互感器、套管、電力電纜、電容器、絕緣子、高壓開關(guān)、避雷器等設(shè)備的介質(zhì)損耗和電容量測量。

TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀的詳細資料：

抗干擾介質(zhì)損耗測試儀,TE8000抗干擾介質(zhì)損耗測試儀,抗干擾介質(zhì)損耗測試儀產(chǎn)品特征

用于精密測量各種高壓電氣設(shè)備的絕緣介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ與電容量Cx，可鑒別電氣絕緣設(shè)備污染、破裂、穿孔、受潮等引起的缺陷和隱患。適用于變壓器、互感器、套管、電力電纜、電容器、絕緣子、高壓開關(guān)、避雷器等設(shè)備的介質(zhì)損耗和電容量測量。TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀是國內(nèi)*高壓電纜拖地使用對反接測試數(shù)據(jù)無影響的介損測試類儀器，并*采用了第四代抗干擾技術(shù)：“全自動反干擾源”。成功解決了普通介損測試儀現(xiàn)場使用抗力差、反接法測試數(shù)據(jù)不準等問題。

抗干擾介質(zhì)損耗測試儀,TE8000抗干擾介質(zhì)損耗測試儀,抗干擾介質(zhì)損耗測試儀產(chǎn)品特征

(1) *采用第四代抗干擾技術(shù)“全自動反干擾源”，在保證抗干擾效果的同時測試值的等效性優(yōu)于“異頻法”。
(2) 國內(nèi)*實現(xiàn)從高壓插座到高壓導(dǎo)線全絕緣的介損測試儀。高壓導(dǎo)線不僅能直接拖地使用，而且消除了反接測試時導(dǎo)線泄漏電流對測試結(jié)果的影響。10kV輸出時，對地無放電、無泄漏、無聲響。
(3) 國內(nèi)*實現(xiàn)接地試品和非接地試品采用相同接線，避免因不同接線方式引起的接線誤差。
(4) 采用多重屏蔽系統(tǒng)，配合“反干擾源”和精密數(shù)學模型，儀器具有很高的測試精度，并且測試數(shù)據(jù)重復(fù)性*
(5)通過內(nèi)置的JTAG在線編程接口，可實現(xiàn)設(shè)備在現(xiàn)場不拆機升級。

抗干擾介質(zhì)損耗測試儀,TE8000抗干擾介質(zhì)損耗測試儀,抗干擾介質(zhì)損耗測試儀技術(shù)參數(shù)

工作電源

電壓：AC220V±10% 頻率：50Hz±1Hz

使用環(huán)境

環(huán)境溫度：-10℃～40℃ 相對濕度：≤80%

外形尺寸

長390mm*寬290mm*高320mm

質(zhì)量

20Kg

測試工作方式

正接法反接法抗干擾正接法抗干擾反接法

輸出功率

1.5KVA

電容測量范圍

10KV： 0～40000pF

＜5KV: 0～0.1μF

電容zui小分辨率

0.001pF

電容精度

正接 ±（2%讀數(shù)+2pF）

反接 ±（2%讀數(shù)+10pF）

介損測量范圍

0～50%

介損測量精度

測試內(nèi)容	電容量范圍（Cx）	試品類型	基本誤差
介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ	100pF～40000pF	非接地	±（2%讀數(shù)+0.0005）
	100pF～40000pF	接地	±（2%讀數(shù)+0.0010）
	10pF～100pF或40000pF以上	非接地	±（2%讀數(shù)+0.0010）
	10pF～100pF或40000pF以上	接地	±（2%讀數(shù)+0.0020）
	3pF～10pF	非接地與接地	±（2%讀數(shù)+0.0020）

高壓測試線

	一頭為線夾，一頭為高壓插頭，用于將高壓引至被試品,采用高性能絕緣導(dǎo)線制成.可拖地使用.使用前請將高壓插頭及線夾接牢靠.

高壓測試線

	一頭為紅、黑兩只線夾，一頭為航插。紅色線夾接Cx，黑色線夾接屏蔽，用于取得沒有干擾的測試信號。

電源線

	黑色通用電源線，用于給儀器提供電源

接地線

	黃綠相交10米接地線，一頭為金屬插針，一頭為夾子，用于儀器與地網(wǎng)連接，使儀器接地，儀器使用前，請接好地線

打印紙2卷

	打印紙，安裝與打印機內(nèi)，是儀器打印的必須耗材，隨機符帶兩卷

保險管（10A）2只

	保險管，安裝與儀器電源插座內(nèi)或儀器面板保險盒內(nèi)，防止因誤操作引起的大電流損壞儀器。當儀器不能正常工作時，可檢查保險管是否溶斷。

測試圖例

套管

帶末屏的電容式套管，如裝于大型變壓器的電流互感器套管。

（1）測量C1采用正接法測量接線及其等值原理圖如下圖所示：

（2）測量C2采用反接法，為了消除高壓端對地的雜散電容，可將TE2000 屏蔽端接到C1上端，接線及其等值原理圖如下圖所示：

電壓互感器

（1）全絕緣式電壓互感器

將高壓側(cè)及低壓側(cè)分別短路，其測量接線及其原理圖如下圖所示：

全絕緣式電壓互感器

（2）串級式電壓互感器

采用串級式電壓互感器，一般采用首端加壓法。這種試品也可以采用常規(guī)方法，但試驗電壓為2.5KV左右。接線及其等值原理圖如下圖所示：

試品	試驗方法	高壓	測量	屏蔽	接地
CAB	正接法	A	B或B1	—	—
CN	反接法	A	地	B及X	—
CAB+CH	反接法	A	地	—	B及B1

全絕緣式電壓互感器

電力變壓器

（1）雙線圈變壓器接線方法如下圖所示：

（2）三線圈變壓器接線方法如下圖所示：

試品	試驗方法	高壓	測量	屏蔽	接地
C1	反接法	高壓線圈	地	中壓、低壓線圈	—
C2	反接法	中壓線圈	地	高壓、低壓線圈	—
C3	反接法	低壓線圈	地	高壓、中壓線圈	—
C12	正接法	高壓線圈	中壓線圈	—	低壓線圈
C23	正接法	中壓線圈	低壓線圈	—	高壓線圈
C13	正接法	低壓線圈	高壓線圈	—	中壓線圈

三線圈變壓器

電容器

電容式分壓互感器接線圖如下圖所示：

試品	試驗方法	高壓	測量	屏蔽	接地
C1	正接法	A	B	--	--
C2	反接法	A	C	--

電力變壓器繞組的tgδ
1)1～3年或自行規(guī)定 2)大修后 3)必要時	1)20℃時tgδ不大于下列數(shù)值： 330～500kV 0.6% 66～220kV 0.8% 35kV及以下 1.5% 2)tgδ值與歷年的數(shù)值比較不應(yīng)有顯著變化(一般不大于30%) 3)試驗電壓如下：繞組電壓10kV及以上 10kV 繞組電壓10kV以下 Un 4)用M型試驗器時試驗電壓自行規(guī)定	1)非被試繞組應(yīng)接地或屏蔽 2) 同一變壓器各繞組tgδ的要求值相同 3)測量溫度以頂層油溫為準，盡量使每次測量的溫度相近 4)盡量在油溫低于50℃時測量，不同溫度下的tgδ值一般可按下式換算 tgδ₂=tgδ₁×1.3^（t2-t1)/10 式中tgδ1、tgδ2分別為溫度t1、t2時的tgδ值

電流互感器的tgδ及電容量

1)投運前
2)1～3年
3)大修后
4)必要時

1)主絕緣tgδ(%)不應(yīng)大于下表中的數(shù)值，且與歷年數(shù)據(jù)比較，不應(yīng)有顯著變化:

電壓等級kV		20～35	66～110	220	330～500
大修后	油紙電容型充油型膠紙電容型	— 3.0 2.5	1.0 2.0 2.0	0.7 — —	0.6 — —
運行中	油紙電容型充油型膠紙電容型	— 3.5 3.0	1.0 2.5 2.5	0.6 — —	0.7 — —

2)電容型電流互感器主絕緣電容量與初始值或出廠值差別超出±5%范圍時應(yīng)查明原因
3)當電容型電流互感器末屏對地絕緣電阻小于1000MΩ時，應(yīng)測量末屏對地tgδ，其值不大于2%

1)主絕緣tgδ試驗電壓為10kV，末屏對地tgδ試驗電壓為2kV
2)油紙電容型tgδ一般不進行溫度換算，當tgδ值與出廠值或上一次試驗值比較有明顯增長時，應(yīng)綜合分析tgδ與溫度、電壓的關(guān)系，當tgδ隨溫度明顯變化或試驗電壓由10kV升到U_m/√3 時，tgδ增量超過±0.3%，不應(yīng)繼續(xù)運行
3)固體絕緣互感器可不進行tgδ測量

電磁式電壓互感器的tgδ(20kV及以上)

1)繞組絕緣：
a)1～3年
b)大修后
c)必要時
2)66～220kV串級式電壓互感器支架：
a)投運前
b)大修后
c)必要時

1)繞組絕緣tgδ(%)不應(yīng)大于下表中數(shù)值：

溫度℃		5	10	20	30	40
35kV及以下	大修后	1.5	2.5	3.0	5.0	7.0
35kV及以下	運行中	2.0	2.5	3.5	5.5	8.0
35kV以上	大修后	1.0	1.5	2.0	3.5	5.0
35kV以上	運行中	1.5	2.0	2.5	4.0	5.5

2)支架絕緣tgδ一般不大于6%

串級式電壓互感器的tgδ試驗方法建議采用末端屏蔽法，其它試驗方法與要求自行規(guī)定

電容式電壓互感器的中間變壓器的tgδ
1)大修后 2)必要時	與初始值相比不應(yīng)有顯著變化

SF6斷路器和GIS的斷口間并聯(lián)電容器的絕緣電阻、電容量和tgδ
1)1～3年 2)大修后 3)必要時	1)對瓷柱式斷路器和斷口同時測量，測得的電容值和tgδ與原始值比較，應(yīng)無明顯變化 2)罐式斷路器(包括GIS中的SF6斷路器)按制造廠規(guī)定 3)單節(jié)電容器按斷路器電容器規(guī)定	1)大修時，對瓷柱式斷路器應(yīng)測量電容器和斷口并聯(lián)后整體的電容值和tgδ，作為該設(shè)備的原始數(shù)據(jù) 2)對罐式斷路器(包括GIS中的SF6斷路器)必要時進行試驗，試驗方法按制造廠規(guī)定

多油斷路器和少油斷路器40.5kV及以上非純瓷套管和多油斷路器的tgδ

1)1～3年
2)大修后

1)20℃時多油斷路器的非純瓷套管的tgδ(%)值見表20
2)20℃時非純瓷套管斷路器的tgδ(%)值，可比表20中相應(yīng)的tgδ(%)值增加下列數(shù)值：

額定電壓kV	≥126	＜126	40.5(DW1—35DW1—35D)
gδ(%)值的增加數(shù)	1	2	3

1)在分閘狀態(tài)下按每支套管進行測量。測量的tgδ超過規(guī)定值或有顯著增大時，必須落下油箱進行分解試驗。對不能落下油箱的斷路器，則應(yīng)將油放出，使套管下部及滅弧室露出油面，然后進行分解試驗
2)斷路器大修而套管不大修時，應(yīng)按套管運行中規(guī)定的相應(yīng)數(shù)值增加
3)帶并聯(lián)電阻斷路器的整體tgδ(%)可相應(yīng)增加1

多油斷路器和少油斷路器滅弧室的并聯(lián)電阻值，并聯(lián)電容器的電容量和tgδ
1)大修后 2)必要時	1)并聯(lián)電阻值應(yīng)符合制造廠規(guī)定 2)并聯(lián)電容器按下方高壓并聯(lián)電容器規(guī)定

空氣斷路器滅弧室的并聯(lián)電阻，均壓電容器的電容量和tgδ
1)大修后	1)并聯(lián)電阻值符合制造廠規(guī)定 2)均壓電容器按斷路器電容器規(guī)定

套管的主絕緣及電容型套管對地末屏tgδ與電容量

1)1～3年
2)大修(包括主設(shè)備大修)后
3)必要時

1)20℃時的tgδ(%)值應(yīng)不大于下表中數(shù)值：

電壓等級kV		20～35	66～110	220～500
大修后	充油型	3.0	1.5	—
	油紙電容型	1.0	1.0	0.8
	充膠型	3.0	2.0	—
	膠紙電容型	2.0	1.5	1.0
	膠紙型	2.5	2.0	—
運行中	充油型	3.5	1.5	—
	油紙電容型	1.0	1.0	0.8
	充膠型	3.5	2.0	—
	膠紙電容型	3.0	1.5	1.0
	膠紙型	3.5	2.0	—

2)當電容型套管末屏對地絕緣電阻小于1000MΩ時，應(yīng)測量末屏對地tgδ，其值不大于2%
3)電容型套管的電容值與出廠值或上一次試驗值的差別超出±5%時，應(yīng)查明原因

1)油紙電容型套管的tgδ一般不進行溫度換算，當tgδ與出廠值或上一次測試值比較有明顯增長或接近左表數(shù)值時，應(yīng)綜合分析tgδ與溫度、電壓的關(guān)系。當tgδ隨溫度增加明顯增大或試驗電壓由10kV升到U_m/√3 時，tgδ增量超過±0.3%，不應(yīng)繼續(xù)運行
2)20kV以下純瓷套管及與變壓器油連通的油壓式套管不測tgδ
3)測量變壓器套管tgδ時，與被試套管相連的所有繞組端子連在一起加壓，其余繞組端子均接地，末屏接電橋，正接線測量

高壓并聯(lián)電容器、串聯(lián)電容器和交流濾波電容器的電容值
1)投運后1年內(nèi) 2)1～5年	1)電容值偏差不超出額定值的-5%～+10%范圍 2)電容值不應(yīng)小于出廠值的95%	用電橋法或電流電壓法測量

耦合電容器和電容式電壓互感器的電容分壓器的tgδ
1)投運后1年內(nèi) 2)1～3年	10kV下的tgδ值不大于下列數(shù)值：油紙絕緣 0.005 膜紙復(fù)合絕緣 0.002	1)當tgδ值不符合要求時，可在額定電壓下復(fù)測，復(fù)測值如符合10kV下的要求，可繼續(xù)投運 2)電容式電壓互感器低壓電容的試驗電壓值自定

斷路器電容器的電容值
1)1～3年 2)斷路器大修后	電容值偏差應(yīng)在額定值的±5%范圍內(nèi)	用電橋法

斷路器電容器的tgδ
1)1～3年 2)斷路器大修后	10kV下的tgδ值不大于下列數(shù)值：油紙絕緣 0.005 膜紙復(fù)合絕緣 0.0025

集合式電容器的電容值
1)投運后1年內(nèi) 2)1～5年 3)吊芯修理后	1)每相電容值偏差應(yīng)在額定值的-5%～+10%的范圍內(nèi)，且電容值不小于出廠值的96% 2)三相中每兩線路端子間測得的電容值的zui大值與zui小值之比不大于1.06 3)每相用三個套管引出的電容器組，應(yīng)測量每兩個套管之間的電容量，其值與出廠值相差在±5%范圍內(nèi)

串聯(lián)電抗器的繞組tgδ
1)大修后 2)必要時	20℃下的tgδ(%)值不大于： 35kV及以下 3.5 66kV 2.5	僅對800kvar以上的油浸鐵芯電抗器進行

放電線圈的繞組的tgδ
1)大修后 2)必要時	參照電磁式電壓互感器

同步發(fā)電機、調(diào)相機定子繞組瀝青云母和烘卷云母絕緣老化鑒定試驗項目和要求

整相繞組(或分支)及單根線棒的tgδ增量(Δtgδ)

1)主絕緣tgδ(%)不應(yīng)大于下表中的數(shù)值，且與歷年數(shù)據(jù)比較，不應(yīng)有顯著變化：

定子電壓等級kV	Δtgδ%
6	6.5
10	6.5

Δtgδ(%)值指額定電壓下和起始游離電壓下tgδ(%)之差值。對于6kV及10kV電壓等級，起始游離電壓分別取3kV和4kV
2)定子電壓為6kV和10kV的單根線棒在兩個不同電壓下的Δtgδ(%)值不大于下列值：

1.5Un和0.5Un	相鄰0.2Un電壓間隔;	0.8Un和0.2Un
11	2.5	3.5

凡現(xiàn)場條件具備者，zui高試驗電壓可選擇1.5Un；否則也可選擇(0.8～1.0)Un。相鄰0.2Un電壓間隔值，即指1.0Un和0.8Un、0.8Un和0.6Un，0.6Un和0.4Un、0.4Un和0.2Un

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