介質損耗測試儀用于現(xiàn)場抗干擾介損測量，或試驗室介損測量。儀器為一體化結構，內(nèi)置介損電橋、變頻電源、試驗變壓器和標準電容器等。采用變頻抗干擾和傅立葉變換數(shù)字濾波技術，全自動智能化測量，強干擾下測量數(shù)據(jù)非常穩(wěn)定。測量結果由大屏幕液晶顯示，自帶微型打印機可打印輸出。 介電損耗（tgδ）：指電介質材料在外電場作用下發(fā)熱而損耗的那部分能量。在直流電場作用下，介質沒有周期性損耗，基本上是穩(wěn)態(tài)電流造成的損耗在交流電場作用下，介質損耗除了穩(wěn)態(tài)電流損耗外，還有各種交流損耗。由于電場的頻繁轉向，電介質中的損耗要比直流電場作用時大許多（有時達到幾千倍），因此介質損耗通常是指交流損耗。 在工程中，常將介電損耗用介質損耗角正切tgδ來表示。tgδ是絕緣體的無效消耗的能量對有效輸入的比例，它表示材料在一周期內(nèi)熱功率損耗與貯存之比，是衠量材料損耗程度的物理量。 介電特性是電介質材料重要的性質。在實際應用中，電介質材料的介電系數(shù)和介質損耗是非常重要的參數(shù)。例如，制造電容器的材料要求介電系數(shù)盡量大，而介質損耗盡量小。相反地，制造儀表絕緣器件的材料則要求介電系數(shù)和介質損耗都盡量小。而在某些特殊情況下，則要求材料的介質損耗較大。所以，通過測定介電常數(shù)（ε）及介質損耗角正切（tgδ），可進一步了解影響介質損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)。 |
